La spin-off FlexiiC tiene como objetivo el diseño de soluciones system-on-chip (SoC) aplicadas a sistemas inteligentes e Internet of Things.

L'Àrea d'Implantació Iònica és la zona en la qual es realitza la tècnica de dopatge superficial de l'oblia. En funció de l'equip utilitzat es poden implantar les següents espècies atòmiques: B, P, As, N, Ar, Al, Si, Mg, O, He.

The Ion Implantation Area is the area where the wafer surface doping technique is performed. Depending on the equipment used, the following atomic species can be implanted: B, P, As, N, Ar, Al, Si, Mg, O, He.

El Área de Implantación Iónica es la zona en la que se realiza la técnica de dopaje superficial de la oblea. En función del equipo utilizado se pueden implantar las siguientes especies atómicas: B, P, As, N, Ar, Al, Si, Mg, O, He.

El 6 de març de 2025, l'Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC) i l'Institut de Microelectrònica de Barcelona (IMB-CNM, CSIC) van organitzar amb èxit el Bi(o)lateral Day, un esdeveniment científic dedicat a fomentar la col·laboració en recerca biològica i serveis científics ent

On March 6, 2025, the Institute of Materials Science of Barcelona (ICMAB-CSIC) and the Institute of Microelectronics of Barcelona (IMB-CNM, CSIC) successfully hosted the Bi(o)lateral Day, a scientific event dedicated to fostering collaboration in bio research and scientific services between the t

El 6 de marzo de 2025, el Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona (ICMAB-CSIC) y el Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB-CNM, CSIC) organizaron con éxito el Bi(o)lateral Day, un evento científico dedicado a fomentar la colaboración en investigación biológica y servicios científ