Nueva perspectiva para la comprensión de la respuesta en frecuencia de dispositivos memristivos
Nuevo artículo publicado en la revista IEEE Electron Device Letters por los miembros ATDF del grupo MESSI en colaboración con el grupo NANOCOMP de la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB).
El colapso de la ventana de memoria en dispositivos TiN/Ti/HfO2/W a altas frecuencias y pequeñas señales se ha demostrado a partir de la obtención de un extenso conjunto de resultados experimentales y del análisis de sus características mediante un potente modelo fenomenológico. La reducción de la ventana de la resistencia a medida que la frecuencia de la señal crece, se atribuye a la incapacidad de iones/vacantes para seguir el estímulo eléctrico externo.
Estos resultados son fruto de la colaboración entre los miembros de Capas Delgadas de Dieléctricos Avanzados del grupo MESSI con investigadores del grupo NANOCOMP de la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB) y acaban de ser publicados en la revista IEEE Electron Device Letters. El trabajo ofrece una conexión clara entre el efecto de la conmutación resistiva en dispositivos reales y la teoría original de los memristores.
"Esta nueva comprensión de la respuesta de los memristores en función de la frecuencia de la señal aplicada, da una información de utilidad para el diseño de circuitos y para la ingeniería de nuevas aplicaciones de los memristores," explica Mireia Bargalló González, una de las autoras del trabajo y miembro del grupo MESSI.
Los memsistores son dispositivos emergentes para una gran variedad de aplicaciones
Los dispositivos de conmutación resistiva, también llamados memristores, son estructuras metal-aislante-metal (MIM) que presentan una característica corriente-tensión de lazo de histéresis pellizcado. Estos dispositivos emergentes están siendo explorados para una variedad de aplicaciones potenciales que incluye el almacenamiento no volátil de datos, los circuitos lógicos digitales y aplicaciones de seguridad en hardware. Además, en los últimos años, se ha generado una intensa actividad de investigación para evaluar la potencialidad de los memristores como sinapsis artificiales en sistemas inspirados en el cerebro (sistemas neuromórficos) que pretenden replicar funciones cerebrales como el aprendizaje a través de la experiencia, el razonamiento o la toma de decisiones.
M. Maestro-Izquierdo, M. B. Gonzalez, F. Campabadal , J. Suñé , Fellow IEEE, and E. Miranda, Senior Member IEEE. A New Perspective Towards the Understanding of the Frequency-Dependent Behavior of Memristive Devices. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Vol. 42, No. 4, April 2021 565. DOI: 10.1109/LED.2021.3063239