Notable participación del IMB-CNM en el Segundo Workshop sobre Memristores
Celebrado en Barcelona durante la última semana de junio, la investigadora Mireia Bargalló González fue presidenta del comité organizador y Mercedes Saludes ganó el premio a la mejor presentación oral de doctorado
Los memristores se están convirtiendo en componentes relevantes dentro de la electrónica, con aplicaciones en el almacenamiento de información, las redes neuronales, la computación en memoria y la criptografía. Desde la primera implementación práctica de HP en 2008, la investigación se ha expandido por todo el mundo, centrándose en el desarrollo de materiales, la modelización, la simulación, la integración de circuitos y las aplicaciones a nivel de sistema. Estos temas fueron el núcleo del Second Workshop on Memristors, celebrado en la Residència d'Investigadors de Barcelona del 30 de junio al 1 de julio, donde el IMB-CNM realizó una notable contribución.
La investigadora Mireia Bargalló González fue presidenta de la organización, junto con Juan B. Roldán, de la Universidad de Granada; y la investigadora del IMB-CNM Francesca Campabadal fue miembro del Comité Científico.
Esta tecnología es una de las diversas áreas de investigación que se exploran activamente en el instituto, principalmente por miembros del Grupo de Microfuentes de Energía e Integración de Sensores (MESSI) y del Grupo de Circuitos y Sistemas Integrados (ICAS). Los esfuerzos del IMB-CNM se centran en el diseño, la fabricación, la caracterización y la simulación de memristores basados en dieléctricos de alta constante dieléctrica y tecnologías impresas.
Uno de los momentos más destacados de la participación del IMB-CNM fue el Premio a la Mejor Presentación Oral de Doctorado, otorgado a la investigadora predoctoral Mercedes Saludes Tapia por su trabajo sobre la influencia de la relación de espesor Ti/HfO₂ en las características de conmutación resistiva.
Los investigadores del IMB-CNM presentaron cuatro contribuciones científicas, dos presentaciones orales y dos pósteres. Entre los participantes se encontraban Carme Martínez, Cristian Ferreyra, Miguel Zabala, Mercedes Saludes y Zhenhua Su.
Presentaciones orales
- The role of the Ti/HfO₂ thickness ratio in the resistive switching characteristics: experimental and simulation study
M. Saludes-Tapia, F. Campabadal, E. Miranda, M.B. González
- Comprehensive Analysis of Complementary Resistive Switching in Ti/HfO₂-Based Memristive Systems
C. Ferreyra, F. Campabadal, M.B. González
Presentación de pósteres
- Fully inkjet-printed memristors based on cross-linked poly(4-vinylphenol) insulating layer
L. Navarro, C. Ferreyra, S. Pérez, E. Ramon, F. Campabadal, M.B. González, C. Martínez Domingo
- Resistive switching behavior, variability, and stability in Ti/HfO₂ and Ti/HfO₂/Al₂O₃-based memristors
Z. Su, C. Ferreyra, E. Ramon, F. Campabadal, M.B. González
