Participación del IMB-CNM en los trabajos para incrementar la luminosidad del LHC
El Gran Colisionador de Hadrones (LHC) entra oficialmente en una nueva fase.
Dia de les dones i les nenes a la ciència 2019
Les Nacions Unides han proclamat l'11 de febrer el Dia Internacional de les Dones i les Nenes en Ciència amb l'objectiu d'assegurar l'accés i la participació a la ciència de les dones i les nenes de forma plena i igualitària.
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Day of Women and Girls in Science 2019
The United Nations have proclaimed February 11 the International Day of Women and Girls in Science aiming to ensure full and equal access to and participation in science for women and girls.
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Día de la Mujer y la Niña en la Ciencia 2019
Las Naciones Unidas han proclamado el 11 de febrero el Día Internacional de la Mujer y la Niña en la Ciencia con el objetivo de garantizar el acceso pleno e igualitario a la ciencia y la participación de las mujeres y las niñas.
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Day of Women and Girls in Science 2018
The United Nations have proclaimed February 11 the International Day of Women and Girls in Science aiming to ensure full and equal access to and participation in science for women and girls.
Day of Women and Girls in Science 2016
Today is the First International Day of Women and Girls in Science, a day created by the United Nations to emphasise the importance of women in science and to rise the gender equality in the scientific world.
The IMB-CNM, present at the YoMo a festival to promote technologies among young people
The Institute of Microelectronics of Barcelona (IMB-CNM-CSIC) will participate in the next edition of the "Youth Mobile Festival Barcelona" (YoMo), from February 27 to March 2, offering young people the opportunity to enter in a white room to make the chips that are on the mobile phones
Dispositius per apliacions de potència i ambients amb alta radiació
Científics a l'Institut de Microelectrònica de Barcelona - Centre Nacional de Microelectrònica, han desenvolupat uns transistors JFET que poden ser utilitzats en aplicacions o entorns amb una alta radiació, en els quals els JFET estàndard fallen causa de l'excés de radiació.
Switch device for high power and radioactive environments
Scientists at the Institute of Microelectronics of Barcelona (IMB-CNM) have developed a novel JFET (Junction Field-Effect Transistor) which is very suitable for high-power devices and radioactive environments, where conventional JFET fail.
Dispositivo para aplicaciones de potencia y ambientes con radiación alta
Científicos del CSIC en el Instituto de Microelectrónica de Barcelona - Centro Nacional de Microelectrónica, han desarrollado unos transistores JFET que pueden ser utilizados en aplicaciones o entornos con una alta radiación, en los que los JFET estándar fallan debido al exceso de radiación.