Último paper de 2020 publicado por el grupo ATDF
El Grupo de capas delgadas de dieléctricos avanzados (ATDF), dirigido por Francesca Campabadal, acaba de publicar el último paper del año en Applied Physics Letters. "Current transient response and role of the internal resistance in HfOx-based memristors" es la última publicación de un grupo del IMB-CNM en 2020.
El paper lo firman los miembros del Grupo de capas delgadas de dieléctricos avanzados (ATDF): Mireia Bargalló González, Marcos Maestro Izquierdo, Francisco Jiménez Molinos, Juan Bautista Roldán y Francesca Campabadal.
Current transient response and role of the internal resistance in HfOx-based memristors
Los memristores se están explorando para una amplia variedad de aplicaciones potenciales, incluido el almacenamiento de datos no volátiles y los circuitos lógicos digitales, así como para fines de seguridad del hardware. Estos dispositivos se consideran candidatos potenciales para emular la funcionalidad sináptica de los circuitos neuromórficos de inspiración biológica debido a su capacidad para ajustar su estado de resistencia (peso sináptico) necesario para optimizar sus mecanismos de aprendizaje.
La dinámica de conmutación resistente asociada con el campo eléctrico y los procesos de vacancia de oxígeno/migración de iones asistidos por temperatura, generación y recombinación se investiga en profundidad a través de experimentos transitorios actuales. Además, proporciona una visión más profunda de los parámetros clave que tienen una influencia crucial en las transiciones SET y RESET y pueden tener un gran impacto en el consumo de energía de programación de los memistores de HfO2 basados en redox.
Applied Physics Letters (APL) es una publicación con informes concisos y actualizados sobre nuevos descubrimientos importantes en física aplicada. Haciendo hincapié en la rápida difusión de datos clave y nuevos conocimientos físicos, APL reúne nuevos artículos experimentales y teóricos que informan aplicaciones de fenómenos físicos a todas las ramas de la ciencia, la ingeniería y la tecnología moderna.
"La respuesta transitoria de la corriente y el papel de la resistencia interna en los memristores basados en HfOx" es el último artículo publicado en 2020 por un grupo del IMB-CNM. Fue aceptado el 11 de diciembre y publicado hoy, 28 de diciembre.