IMB-CNM participa en el proyecto IONS4SET

Autoensamblaje de nanodot de Si inducido por irradiación de iones para tecnología híbrida SET-CMOS.
El objetivo del proyecto IONS4SET era crear transistores de un solo electrón para electrónica de potencia ultrabaja, de modo que el componente que utiliza estos transistores optimizados ofrezca un buen rendimiento con un consumo de energía muy bajo. Este tipo de transistor requiere la fabricación de nanopilares mucho más allá del estado de la técnica, que implementan un proceso compatible con la industria de semiconductores (CMOS).