El IMB-CNM participa en la creación del nuevo subdetector del ATLAS, en el CERN
En el mismo corazón de ATLAS se inserta el nuevo sub-detector, con sensores más pequeños y con alta resistencia a la radiactividad. Parte de los sensores se han desarrollado y fabricado en la Sala Blanca del CNM-CSIC, en Barcelona.
Recientemente se incorporó un nuevo subdetector al enorme aparato del experimento ATLAS, situado en el CERN (Ginebra), hogar del mayor acelerador de partículas del mundo. En el desarrollo de este sub-detector han participado investigadores del lnstituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB-CNM) del Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC).
ATLAS (A Toroidal LHC ApparatuS, Aparato Toroidal) es uno de los cinco detectores de partículas del Large Hadron Collider, LHC. El ATLAS es un detector multipropósito, diseñado para investigar en múltiples campos de la física, desde la detección del boson de Higgs hasta las partículas que podrían formar parte de la materia oscura.
La nueva pieza que se ha insertado en ATLAS es el sub-detector IBL (Insertable b-layer). Se trata de una capa adicional de dispositivos de silicio que se ha unido al pre-existente detector Pixel, instalado en el centro de ATLAS, en la zona más cercana al punto de choque entre las partículas.
El detector Píxel se compone de cuatro barriles cilíndricos, insertados uno en el otro, y está hecho de pequeños diodos de silicio que son capaces de detectar las partículas que pasan a través de ellos, así que pueden ser utilizados como excelentes trazadores. Tales dispositivos están montados sobre una rejilla y conectados a circuitos integrados que leen la señal generada en el detector.
Para el subdetector IBL se han fabricado sensores más pequeños y más resistentes a las radiaciones que los anteriores, por lo que se han podido instalar en el corazón del detector Píxel, una zona altamente radiactiva. Se espera que esta capa adicional mejore el rendimiento de trazado del experimento ATLAS, así como su capacitad de etiquetar familias concretas de productos de colisión.
El Instituto de Microelectrónica de Barcelona - Centro Nacional de Microelectrónica (IMB-CNM) del CSIC ha fabricado parte de los sensores 3D de silicio del IBL, mediante la aplicación de tecnologías de semiconductores de última generación desarrolladas en su avanzada Sala Blanca. Físicos e ingenieros del CNM participaron también en las fases de test y puesta en marcha del nuevo equipo experimental. El trabajo se ha desarrollado en el marco del proyecto nacional FPA2010-22060-C02 y en colaboración con el Institut de Fisica d'Altes Energies (IFAE-Barcelona).