"Pepe" Millán: el legado de uno de los pioneros de la microelectrónica de potencia en Europa

El pasado mes de mayo se cumplieron diez años de la muerte de José Millán, profesor de investigación del CSIC y una de las figuras históricas de la microelectrónica en el Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB-CNM). Conocido dentro y fuera del centro como "Pepe Millán", su trayectoria científica fue determinante para posicionar al IMB-CNM como un centro de referencia europeo en el campo de los dispositivos microelectrónicos de potencia basados en silicio y en semiconductores de banda prohibida ancha (Wide Band-Gap, WBG) como el de carburo de silicio (SiC) o el nitruro de galio (GaN).

Su huella en el centro sigue hoy muy presente. En reconocimiento a su trayectoria científica y humana, el Salón de Actos del IMB-CNM lleva su nombre, "Sala de Actos Pepe Millán", un espacio emblemático del centro que recuerda su legado y su contribución al desarrollo del instituto desde sus orígenes ya la microelectrónica a nivel nacional. Además, Millán lideró un grupo de investigación del instituto y ocupó el cargo de vicedirector del centro en dos ocasiones, primero entre 1999 y 2003; y después entre 2006 y 2008.

Una trayectoria vinculada a la potencia

José Millán, nacido en 1948 (Terrer, Zaragoza), estudió Física en la Universidad de Navarra y realizó su tesis doctoral en el Departamento de Física de la Universidad Autónoma de Barcelona sobre estructuras MIS (Metal aislante semiconductor), bajo la dirección del profesor Francesc Serra Mestres, el cual sería también uno de los "fundadores" del Centro Nacional de Microelectrónica y su segundo Director. Entre 1980 y 1987 ejerció también como profesor adjunto en la UAB.

Desde el inicio de su carrera investigadora en el CNM (actual IMB-CNM) después de su fundación, en 1985, José Millán creó y lideró un grupo dedicado a la investigación sobre dispositivos de potencia basados en silicio, principalmente desarrollando transistores con control por puerta aislada como VDMOS e IGBTs. Llamado Grupo de Dispositivos y Sistemas de Potencia, fue pionero en España y todavía hoy sigue integrado en el instituto.

Más adelante, lideró algunos de los trabajos pioneros sobre semiconductores WBG, especialmente el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN), tecnologías que hoy son clave para la electrificación y desarrollo de sistemas industriales energéticamente más eficientes. Su visión científica contribuyó decisivamente a posicionar al IMB-CNM como uno de los centros de referencia europeos en este ámbito.

Su actividad investigadora se caracterizó por combinar investigación fundamental y transferencia industrial en áreas como los dispositivos de alta tensión, la electrónica para automoción, los convertidores de potencia y los sistemas electrónicos eficientes. A lo largo de su carrera publicó cerca de 300 trabajos científicos y participó en numerosos proyectos europeos e iniciativas estratégicas vinculadas a la electrónica de potencia.

En este sentido, tuvo un papel relevante en el impulso inicial del European Center for Power Electronics (ECPE), plataforma europea que conecta centros de investigación e industria en el ámbito de la electrónica de potencia y que se ha convertido en una de las principales plataformas europeas del sector. Su apuesta por la colaboración entre investigación e industria contribuyó a reforzar la proyección internacional del IMB-CNM y establecer nuevas alianzas europeas en tecnologías emergentes.

Entre otras iniciativas estratégicas, José Millán también coordinó el proyecto Consolider RUE, con un presupuesto de 3.5 M€ y la participación de ocho universidades y centros de investigación españoles, orientado al desarrollo de nuevas tecnologías de electrónica de potencia eficiente. Asimismo, actuó como evaluador externo del CEA-LETI francés, uno de los centros europeos de referencia en microelectrónica y transferencia tecnológica. Cabe destacar también que en 2009 fue General Chair del IPSSD (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs), el congreso de referencia mundial en el ámbito de los dispositivos semiconductores de potencia (ver imágenes en la galería inferior).

Huella humana y académica

Más allá de su contribución científica, Pepe Millán dejó una profunda huella humana y académica en el IMB-CNM. Varias generaciones de investigadores e investigadoras del centro iniciaron o consolidaron su trayectoria bajo su influencia científica y personal. su legado sigue hoy plenamente vigente tanto por el impacto de sus publicaciones como por la continuidad de las líneas de investigación que impulsó.

Durante su trayectoria dirigió 9 tesis doctorales. Muchos de sus doctorandos terminaron convirtiéndose en investigadores consolidados, profesores universitarios o responsables de I+D en empresas del sector, y que posteriormente dirigieron nuevas tesis doctorales, generando una escuela científica con continuidad intergeneracional y con ramificaciones en múltiples instituciones académicas y centros tecnológicos tanto nacionales como internacionales.

La lista World's Top 2% Scientists

Como muestra de este impacto duradero, José Millán sigue apareciendo en la edición 2025 del ranking internacional World's Top 2% Scientists, elaborado por la Universidad de Stanford y Elsevier, que identifica a los científicos más influyentes del mundo según el impacto de sus publicaciones científicas. En esta edición ocupa la posición 2.388 en el subcampo de Física Aplicada.

La presencia del IMB-CNM en este ranking se ve reforzada este año con la incorporación de Amador Pérez-Tomás, investigador del mismo grupo de Dispositivos y Sistemas de Potencia (PDS), que entra también en la clasificación situándose en la posición 2.554 del mismo subcampo.

Este reconocimiento pone de manifiesto la continuidad, excelencia y vigencia del legado científico y tecnológico impulsado por Pepe Millán en el campo de la electrónica de potencia y de los dispositivos semiconductores avanzados.