Técnicas y equipos del Área de Grabado Seco
El Área de Grabado Seco es la zona en la que se llevan a cabo las técnicas de grabado por plasma sobre diferentes materiales utilizados en microfabricación.
Técnicas
- Grabado de metales
- Semiconductores
- Polímeros
- Grabado profundo de silicio con HAR
- Grabado para nanoestructuras de silicio
Equipos y capacidades disponibles
Alcatel 601 E
- Cargador automático mono-oblea de hasta 100 mm
- ICP Gen. hasta 2000 W - 13,56 MHz
- RF Gen. hasta 500 W - 300 KHz
- Líneas de gas: SF6, C4F8, He, O2
- 2 bombas mecánicas y 2 bombas turbomoleculares
- Calentamiento de obleas: desde -110°C hasta 40°C (N2 dewar); contacto He-backside
- Proceso Bosch
- Grabado de capas: silicio, polisilicio, W and TaSi
OXFORD PLASMALAB S-100 no CMOS
- Cargador automático multioblea de hasta 100 mm. Dos cámaras
- ICP Gen. hasta 5000 W-2 MHz y ICP Gen. hasta 3000 W-13.56 MHz
- RF Gen. hasta 600 W-13,56 MHz
- Líneas de gas: N2, O2, He, SF6, Cl2,.
- Cámara 1: HBr, BCl3, Cl2, SF6, N2, He, Ar
- Cámara 2: SF6, O2
- 3 bombas mecánicas y 2 bombas turbomoleculares
- Calentamiento de obleas: desde 20°C hasta 60°C; contacto He-backside
- Grabado de capas: semiconductores compuestos del grupo III-V, SiC, diamante y decapado fotorresistente
Aplied Materials P5000
- Plataforma industrial de 3 cámaras para obleas de hasta 150 mm
- Campo magnético asistido, hasta 90G – MERIE
- 3 RF Gen. hasta 1250 W - 13,56 MHz
- 3 bombas mecánicas y 3 bombas turbomoleculares
- Líneas de gas:
- Cámara A: CF4, C2F6, He, CHF3, Ar
- Cámara B: C4F8, CF4, C2F6, O2, He, CHF3, Ar
- Cámara C: HBr, Cl2, CF4, He/O2, SF6, N2
- Grabado de capas: polisilicio, SiO2, Si3N4
Alcatel AMS-110 DE no CMOS
- Cargador automático mono-oblea de hasta 100 mm
- ICP Gen. hasta 3000 W - 13,56 MHz
- RF Gen. hasta 600 W - 300 KHz
- RF Gen. hasta 500 W LF
- Líneas de gas: SF6, C4F8, He, O2 CH4, Ar
- 1 bombas mecánicas y 1 bombas turbomoleculares
- Calentamiento de obleas: desde -10°C hasta 420°C; contacto He-backside
- Proceso Bosch
- Grabado de capas: silicio, polisilicio, W, TaSi, SiO2, Si3N4, Al2O3, HfO2, TiO2, GaO, pyrex, poliamida, grafeno
SENTECH SI 500 No CMOS
- Cargador automático mono-oblea MNC de hasta 150 mm
- ICP Gen. hasta 2000 W - 13,56 MHz
- RF Gen. hasta 600 W – 13,56 MHz
- Líneas de gas: SF6*, C4F8*, CF4, O2*, He, Ar. (*flujos de masa duplicados)
- 2 bombas mecánicas y 1 bomba turbomolecular
- Temperatura: desde -15ºC hasta 80ºC. Calentamiento He-backside
- Proceso Bosch
- Grabado de capas: silicio, SiO2, Si3N4, poliamida, grafeno
SENTECH SI 500 SI
- Cargador automático mono-oblea MNC de hasta 150 mm
- ICP Gen. hasta 2000 W - 13,56 MHz
- RF Gen. hasta 600 W – 13,56 MHz
- Líneas de gas: SF6*, C4F8*, O2*, He, Ar. (*flujos de masa duplicados)
- 2 bombas mecánicas y 1 bomba turbomolecular
- Temperatura: desde -15ºC hasta 80ºC. Calentamiento He-backside
- Proceso Bosch
- Grabado de capas: silicio, SiC
SENTECH SI 500 CL
- Cargador automático mono-oblea MNC de hasta 150 mm
- ICP Gen. hasta 2000 W - 13,56 MHz
- RF Gen. hasta 600 W – 13,56 MHz
- Líneas de gas: Cl2, BCl3, Ar, N2, O2, He
- 2 bombas mecánicas y 1 bomba turbomolecular
- Temperatura: desde -15ºC hasta 80ºC. Calentamiento He-backside
- Detección óptica del punto final
- Grabado de capas: semiconductores compuestos del grupo III-V
ALCATEL GIR 160
- Placa paralela RIE con carga manual para mono-oblea de hasta 150 mm
- RF Gen. hasta 500 W – 13,56 MHz
- Líneas de gas: SF6, CHF3, CF4, O2, He, N2
- 1 bomba mecánica y 1 bomba turbomolecular
- Sin control de temperatura
- Grabado de capas: silicio, polisilicio, SiO2, Si3N4, SiC, TaSi
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Equipo de Grabado Seco
- Roser Mas (ext. 435570)
- Carles Mateu (ext. 435569)
- Samuel Dacunha (ext. 435571)
