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Técnicas y equipos del Área de Grabado Seco

El Área de Grabado Seco es la zona en la que se llevan a cabo las técnicas de grabado por plasma sobre diferentes materiales utilizados en microfabricación.

Técnicas

  • Grabado de metales
  • Semiconductores
  • Polímeros
  • Grabado profundo de silicio con HAR
  • Grabado para nanoestructuras de silicio

Equipos y capacidades disponibles

Alcatel 601 E

  • Cargador automático mono-oblea de hasta 100 mm
  • ICP Gen. hasta 2000 W - 13,56 MHz 
  • RF Gen. hasta 500 W - 300 KHz
  • Líneas de gas: SF6, C4F8, He, O2
  • 2 bombas mecánicas y 2 bombas turbomoleculares
  • Calentamiento de obleas: desde -110°C hasta 40°C (N2 dewar); contacto He-backside
  • Proceso Bosch
  • Grabado de capas: silicio, polisilicio, W and TaSi 

OXFORD PLASMALAB S-100 no CMOS

  • Cargador automático multioblea de hasta 100 mm. Dos cámaras
  • ICP Gen. hasta 5000 W-2 MHz y ICP Gen. hasta 3000 W-13.56 MHz
  • RF Gen. hasta 600 W-13,56 MHz
  • Líneas de gas: N2, O2, He, SF6, Cl2,.
    • Cámara 1: HBr, BCl3, Cl2, SF6, N2, He, Ar
    • Cámara 2: SF6, O2
  • 3 bombas mecánicas y 2 bombas turbomoleculares
  • Calentamiento de obleas: desde 20°C hasta 60°C; contacto He-backside
  • Grabado de capas: semiconductores compuestos del grupo III-V, SiC, diamante y decapado fotorresistente

Aplied Materials P5000

  • Plataforma industrial de 3 cámaras para obleas de hasta 150 mm
  • Campo magnético asistido, hasta 90G – MERIE
  • 3 RF Gen. hasta 1250 W - 13,56 MHz
  • 3 bombas mecánicas y 3 bombas turbomoleculares
  • Líneas de gas: 
    • Cámara A: CF4, C2F6, He, CHF3, Ar
    • Cámara B: C4F8, CF4, C2F6, O2, He, CHF3, Ar
    • Cámara C: HBr, Cl2, CF4, He/O2, SF6, N2
  • Grabado de capas: polisilicio, SiO2, Si3N4 

Alcatel AMS-110 DE no CMOS

  • Cargador automático mono-oblea de hasta 100 mm
  • ICP Gen. hasta 3000 W - 13,56 MHz 
  • RF Gen. hasta 600 W - 300 KHz
  • RF Gen. hasta 500 W LF
  • Líneas de gas: SF6, C4F8, He, O2 CH4, Ar
  • 1 bombas mecánicas y 1 bombas turbomoleculares
  • Calentamiento de obleas: desde -10°C hasta 420°C; contacto He-backside
  • Proceso Bosch
  • Grabado de capas: silicio, polisilicio, W, TaSi, SiO2, Si3N4, Al2O3, HfO2, TiO2, GaO, pyrex, poliamida, grafeno 

SENTECH SI 500 No CMOS

  • Cargador automático mono-oblea MNC de hasta 150 mm
  • ICP Gen. hasta 2000 W - 13,56 MHz 
  • RF Gen. hasta 600 W – 13,56 MHz
  • Líneas de gas: SF6*, C4F8*, CF4, O2*, He, Ar. (*flujos de masa duplicados)
  • 2 bombas mecánicas y 1 bomba turbomolecular
  • Temperatura: desde -15ºC hasta 80ºC. Calentamiento He-backside
  • Proceso Bosch
  • Grabado de capas: silicio, SiO2, Si3N4, poliamida, grafeno

SENTECH SI 500 SI

  • Cargador automático mono-oblea MNC de hasta 150 mm
  • ICP Gen. hasta 2000 W - 13,56 MHz 
  • RF Gen. hasta 600 W – 13,56 MHz
  • Líneas de gas: SF6*, C4F8*, O2*, He, Ar. (*flujos de masa duplicados)
  • 2 bombas mecánicas y 1 bomba turbomolecular
  • Temperatura: desde -15ºC hasta 80ºC. Calentamiento He-backside
  • Proceso Bosch
  • Grabado de capas: silicio, SiC

SENTECH SI 500 CL

  • Cargador automático mono-oblea MNC de hasta 150 mm
  • ICP Gen. hasta 2000 W - 13,56 MHz 
  • RF Gen. hasta 600 W – 13,56 MHz
  • Líneas de gas: Cl2, BCl3, Ar, N2, O2, He
  • 2 bombas mecánicas y 1 bomba turbomolecular
  • Temperatura: desde -15ºC hasta 80ºC. Calentamiento He-backside
  • Detección óptica del punto final
  • Grabado de capas: semiconductores compuestos del grupo III-V

ALCATEL GIR 160

  • Placa paralela RIE con carga manual para mono-oblea de hasta 150 mm
  • RF Gen. hasta 500 W – 13,56 MHz
  • Líneas de gas: SF6, CHF3, CF4, O2, He, N2
  • 1 bomba mecánica y 1 bomba turbomolecular
  • Sin control de temperatura
  • Grabado de capas: silicio, polisilicio, SiO2, Si3N4, SiC, TaSi

Descarga las técnicas y capacidades del Área de Grabado Seco

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Equipo de Grabado Seco

  • Roser Mas (ext. 435570) 
  • Carles Mateu (ext. 435569) 
  • Samuel Dacunha (ext. 435571)
Foto de grupo de Grabado Seco