Técnicas y equipos del Área de Metalización

Deposición física de vapor en sistemas de sputtering

KENOSISTEC KS800H:

• “Sputtering” para depositar capas metálicas en obleas de 100, 150 mm y chips.
• Cámara de proceso con tres cátodos magnetrones circulares planares de 200 mm de diámetro. 
• Blancos disponibles: Al_99.5/Cu_0.5 y Ti.
• Cámara de carga y descarga con sistema de carga semiautomático. 
• Fuente de potencia en CC y fuente de RF para el “etching” de la superficie de las muestras.
• Destinado a muestras no-CMOS.

Material Research Corporation-MRC 903:

• “Sputtering” para depositar capas metálicas sobre una superficie de 30x30 cm² (hasta nueve obleas de 100 mm o cuatro obleas de 150 mm).
• Cámara de proceso son tres blancos (dos rectangulares planares tipo magnetron y uno rectangular planar tipo diodo).
• Blancos disponibles: Au, Ni y Ti.
• Cámara de carga y descarga con sistema semi-automático.
• Fuente de potencia en CC para Ti y Ni y RF para el Au. También disponible fuente de RF para el “etching” de la superficie de las muestras.
• Destinado a muestras no-CMOS. 

KENOSISTEC KS500C:

• “Sputtering” para depositar capas metálicas y semiconductoras en obleas de 100 mm, 150 mm y chips.
• Cámara de proceso con tres cátodos magnetrones circulares planares de 75 mm de diámetro en configuración confocal.
• Blancos disponibles: W, Ti, Ta, Si y TaSi₂
• Cámara de carga con sistema semiautomático de carga.
• Dos fuentes de potencia en CC y una fuente en RF. También disponible fuente de RF para el “etching” de la superficie de las muestras.
• Destinado a muestras no-CMOS. 

LEYBOLD HERAEUS Z-550:

• “Sputtering” para depositar capas metálicas en obleas de 100 mm y chips.
• Cámara de proceso con un magnetron circular planar de 150 mm de diámetro.
• Blancos disponibles: Al, Al_98.75/ Cu_0.5 /Si_0.75 y TaSi₂.
• Cámara de carga y descarga con Sistema manual de carga.
• Fuente de potencia en CC. También disponible fuente de RF para el “etching” de la superficie de las muestras.
• Destinado a muestras CMOS y no-CMOS (sin “etching”).

KENOSISTEC KS800HR:

• “Sputtering” para depositar capas metálicas y no metálicas en obleas de 100 mm, 150mm y chips. 
• Cámara de proceso con cuatro magnetrones circulares planares de 200 mm de diámetro. 
• Blancos disponibles: Al, Al_99.5/Cu_0.5, Ti, W, Al_98.75/ Cu_0.5 /Si_0.75, Si, AlN, TiN, Si₃N₄, SiO₂
• Cámara de carga y descarga con sistema automático de carga. 
• Posibilidad de calendar las muestras hasta 400ºC.
• Fuentes de potencia en CC pulsada y Fuente de RF. También disponible fuente de RF para el “etching” de la superficie de las muestras.
• Destinado a muestras CMOS y no-CMOS (sin “etching”)
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BIO RAD E-5000 Polar Division:

• “Sputtering” para depositar capas de oro para observación por microscopía electrónica de escaneo. 
• Posibilidad de cambiar la distancia y la corriente.
• Control por temporizador.

Deposición física de vapor en sistemas de evaporación térmica o con cañón de electrones

OERLIKON UNIVEX 450B:

• Cañón de electrones con capacidad para cuatro materiales con crisoles de 7 cc. 
• Dos fuentes térmicas resistivas.
• Depósito en muestras de hasta 150 mm de diámetro (obleas y chips)
• Cámara de proceso con capacidad de hasta cuatro muestras (carga manual sin cámara de carga y descarga)
• Materiales disponibles: Ag, Al, Al2O3, Au, B, C, Cr, Cu, Fe, Ge, ITO, Mo, Nb, Ni, Pd, Pt, Sn, Ta, Ti, W, ZnO y Zr.
• Posibilidad de calentar las muestras hasta 500ºC
• Posibilidad de depositar reactivamente en atmósfera de O₂.
• Destinado a muestras no-CMOS

KENOSISTEC KE500E:

• Cañón de electrones con capacidad para cuatro materiales.
• Depósito en muestras de hasta 150 mm de diámetro (obleas y chips)
• Cámara de proceso con capacidad de una muestra (carga manual sin cámara de carga y descarga)
• Materiales disponibles: Al, Cr y Ti.
• Destinado a muestras CMOS. 

LEYBOLD UNIVEX 400:

• Cañón de electrones con capacidad para ocho materiales con crisoles de 15 cc. 
• Cañón de iones.
• Depósito en muestras de hasta 150 mm de diámetro (obleas y chips)
• Cámara de proceso con capacidad de 1 muestra.
• Cámara de carga y descarga. 
• Posibilidad de controlar la temperatura en el dorso de la muestra entre -20 y 100ºC.
• Materiales disponibles: Al, Au, Ti, Pt (Ni, Cr y otros en test)
• Destinado a muestras no-CMOS.

• Leyre Martínez de Olcoz Sainz (ext. 435563) 
• Josep Montserrat i Martí (ext. 435553)
• Marc Isart Alemany (ext. 435690)