Técnicas y equipos del Área de Implantación Iónica
El Área de Implantación Iónica es la zona en la que se realiza la técnica de dopaje superficial de la oblea. En función del equipo utilizado se pueden implantar las siguientes especies atómicas: B, P, As, N, Ar, Al, Si, Mg, O, He.
Técnicas
- Control preciso del perfil de profundidad de dopaje.
- Proceso a baja temperatura compatible con la máscara fotorresistente.
- Amplia selección de materiales para máscaras: fotorresistente, óxido, poli-Si, metal...
- Uniformidad de dopaje lateral.
Equipos
Implantador de iones IBS IMC 210RD:
- Fuentes líquidas, gaseosas y sólidas.
- Precursores disponibles: BF3, SiF4, N2, Ar, CO2, He/Ar, As, P, Mg, AlCl3, GeS2 y H2O.
- Dosis implantadas de 1,0×1011 at/cm2 a 5,0×1015 at/cm2.
- Rango de energía: de 3 keV a 210 keV (carga única).
- Equipado con dos cámaras de procesamiento: cámara estándar (ES) y cámara de investigación y desarrollo (RD).
- Cámara ES: Sistema de carga automatizado.
- Cámara RD: Sistema de carga manual. Posibilidad de procesar obleas finas (espesor<400 µm) y piezas pequeñas. El soporte permite calentar obleas hasta 500ºC.
- Rango de inclinación: De 0° a 15° y de 0° a 10° en la cámara ES y la cámara RD, respectivamente.
- Tamaño máximo de oblea: Obleas de 4 pulgadas y obleas de 6 pulgadas para la cámara ES y RD, respectivamente.
- Temperatura: Posibilidad de calentar la oblea hasta 500 °C.
- Exclusivamente para procesar muestras CMOS.
Descarga las técnicas y capacidades del Área de Implantación Iónica
Equipo de Implantación Iónica
- Alberto García (ext. 435556)
- Aniol Vellvehí (ext. 435551)
