Técnicas y equipos del Área de Inspección y Medidas
El Área de Inspección y Medidas es el área que se encarga de dos tareas específicas: de verificar que, tras cada proceso, las obleas se encuentren libres de partículas y defectos y de caracterizar las capas depositadas o grabadas midiendo distintos parámetros ópticos, eléctricos, mecánicos, etc.
Técnicas
- Microscopía óptica
- Reflectancia espectral
- Elipsometría espectral
- Perfilometría óptica 3D
- Perfilometría mecánica
- Espectroscopia FT-IR
- Medición de la resistencia de la lámina
- Medición de la curvatura y el grosor
- Medición del tiempo de vida
Equipos
Microscopio óptico: Leica DM8000
- Análisis de la superficie: Defectos y partículas
- Medición de dimensiones
- Mapeado de obleas
- Fotomicrografía
Reflectómetros espectrales: Nanospec 6100 and Nanospec II
- Medición del grosor de capas transparentes
- Rango espectral: 440-1000 nm
- Biblioteca de materiales predeterminados
- Análisis de nuevos materiales
- Análisis de múltiples capas
- Etapa XYZ automática
- Mapeado de obleas
Elipsómetro espectral: Horiba Auto SE
- Análisis completo de películas finas: espesores, constantes ópticas, rugosidad superficial, etc
- Platina XYZ automática
- Imágenes en tiempo real
- Selección automática del tamaño del punto
- Gama espectral: 440-1000 nm
Perfilómetro óptico 3D: Sensofar Neox
- Extracción de datos topográficos: morfología de la superficie, altura de los escalones y rugosidad de la superficie
- Rápida adquisición de datos en grandes superficies
- Mediciones sin contacto y no destructivas
- Amplio rango en el eje Z, alturas de rasgos desde unos pocos nanómetros hasta 2 cm
- Campo de visión variable
Perfilómetros mecánicos: Tencor P7 (líneas x2, CMOS y MNC)
- Medición de perfil y rugosidad en cualquier tipo de muestra (Transparente u Opaca)
- Alta precisión en mediciones horizontales: Desplazamientos de 1 um
- Amplio rango en medidas verticales: 1 Å - 180 um
- Técnica no destructiva para mediciones en metales y semiconductores
Espectrómetro FT-IR: Bruker Invenio-S
- Análisis químico cualitativo y cuantitativo de capas (Si-O, Si-N...), dopantes (P-O, B-O...) e impurezas (NH, Si-H...)
- Resolución espectral: 8000 - 340 cm-1
- Resolución espectral mejor que 0,4 cm-1
Medición de resistividad con sonda de cuatro puntos: Chang Min Four (líneas x2, CMOS y MNC)
- Medición de la resistividad de capas finas de materiales conductores y semiconductores
- Caracterización de la uniformidad en el depósito de metal, dopaje de polisilicio e implantación de iones
Caracterización geométrica: Proforma 300
- Medición capacitiva de la curva y el grosor total
- Un punto sin contacto
Tencor Sonogage RT2
- Medición de resistividad y grosor de obleas:
- Medición del grosor de obleas
- Caracterización de la resistividad del volumen.
Medición del tiempo de vida: Semilab WT-1000
- Caracterización de obleas entrantes.
- Medida de parámetros eléctricos en diferentes etapas de fabricación.
- Caracterización de parámetros de capas depositadas.
Capacidades disponibles
- Análisis de superficies y de partículas.
- Medida del grosor de capas transparentes empleando técnicas ópticas: SiO2, Si3N4, Al2O3, PolySi, HfO2, etc.
- Análisis de las características ópticas de materiales.
- Perfilometría mecánica de superficies y estudio de la rugosidad de sustratos y capas depositadas.
- Espectroscopía FT-IR de materiales depositados sobre obleas.
- Medida de la resistividad de sustratos, metales y semiconductores dopados.
- Medida del grosor y curvatura de obleas.
- Medida del tiempo de vida de portadores minoritarios.
Descarga las técnicas y capacidades del Área de Inspección y Medidas
Mira el Área de Inspección y Medidas
Personal de Inspección y Medidas
- Samuel Dacunha Pazos (ext. 435571)
