Técnicas y equipos del Área de Grabados Húmedos y Procesos de Limpieza de Superficies

El Área de Grabados Húmedos y Procesos de Limpieza de Superficies es el área en la que se realizan técnicas básicas como el grabado húmedo isótropo de metales y dieléctricos, las limpiezas de superficies o los decapados de resina.

Técnicas

  • Grabado húmedo isótropo de metales y dieléctricos.
  • Limpieza superficial de las obleas.
  • Decapado de fotorresinas en húmedo y en plasma de oxígeno.

Equipos

Grabado húmedo isótropo de metales y dieléctricos 

  • 9 baños y 6 cascadas de agua desionizada para obleas de hasta 150 mm compatibles con la línea CMOS.
  • 7 baños y 2 cascadas de agua desionizada para obleas de hasta 150 mm no compatibles con la línea CMOS (MNC o no-CMOS).
  • 2 “Rinser & Dryers” (R&D) dedicados a las obleas compatibles CMOS de 100 mm y 1 R&D para obleas de 150 mm.
  • 2 estufas para secado y recocidos de fotorresinas de muestras CMOS y 1 estufa para secado y recocido de resinas para muestras no-CMOS.

Limpieza superficial de obleas

  • 5 baños y 3 cascadas de agua desionizada para obleas de hasta 150 mm compatibles CMOS.
  • 2 baños y 1 cascada de agua desionizada para obleas de hasta 150 mm de la línea no-CMOS.
  • 2 R&D para obleas de 100 mm tanto para la línea CMOS como no-CMOS.
  • 2 R&D para obleas de 150 mm tanto para la línea CMOS como no-CMOS. 

Decapado de fotorresinas en húmedo y en plasma de oxígeno

  • 1 baño doble con ultrasonidos para decapado de resina en disolventes y 1 cascada de agua desionizada para obleas compatibles CMOS.
  • 1 baño para decapado húmedo de resina en ácido y una cascada de agua desionizada para obleas compatibles CMOS.
  • 2 baños para decapado de fotorresina en húmedo para obleas con metales contaminantes y una cascada de agua desionizada para obleas de hasta 150mm.
  • Equipo de plasma de oxígeno PVA TEpla 300SA para decapado de resina para muestras compatibles CMOS.
  • Equipo de plasma de oxígeno Tepla GIGABatch 360M para decapado de resina para muestras no compatibles CMOS.

Capacidades disponibles

Grabado y decapado de dieléctricos

  • Grabado y decapado húmedo de SiO2 en mezclas de HF de diferentes concentraciones. 
  • Grabado y decapado húmedo isótropo de silicio y polisilicio en mezclas basadas en HNO3 y HF. 
  • Grabado y decapado húmedo de Si3N4 en H3PO4. 
  • Grabado húmedo de capas finas de TiO2 y HfO2 en mezclas de HF.
  • Grabado húmedo de capas finas de Al2O3 basados en mezclas de HNO3 y H3PO4. 

 

Grabado de metales

  • Grabado húmedo de Al basado en mezclas de HNO3 y H3PO4. 
  • Grabado húmedo de Au en mezclas de I2. 
  • Grabado húmedo de Ni en disoluciones de HNO3.
  • Grabado húmedo de Ti en mezclas de propilenglicol y HF. 

 

Limpieza superficial de muestras

Limpieza de materia orgánica, partículas y trazas metálicas (iónicas) en:

  • Mezcla piraña, decapado de óxido de silicio y limpiezas RCA.
  • Limpiezas con disolventes (acetona e isopropanol).

Decapado de resinas en húmedo y en plasma de oxigeno:

  • Decapado en acetona.
  • Decapado en ácido. 
  • Decapado en Microstrip 2001 (mezcla básica).
  • Decapado en plasma de oxígeno. 

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Clean Room Wet Etching Area

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Personal de Grabados Húmedos y Procesos de Limpieza de superficies

  • Nuria Torres (ext. 435568) 
  • Elena Chica (ext. 435580) 
  • Andrea Azambuja (ext. 435579)
Equipo de grabados húmedos 2024