Oferta tecnològica i capacitats
La sala blanca de l'IMB-CNM inclou equips per a processos de micro i nanofabricació basats principalment en tecnologies de silici per a oblies de 100 mm i 150 mm, però també poden funcionar amb substrats de diferents materials i mides segons la demanda. La seva estructura permet un funcionament flexible, cosa que el fa especialment adequat per a R+D.
Processos tèrmics
Hi ha disponibles els següents processos tèrmics i de dipòsit químic en vapor:
- Thermal Oxidation, Annealing and Diffusion processes
- Deposition of Silicon Oxide, Silicon Nitride, Polycrystalline and Amorphous Silicon by LPCVD
- Deposition of Silicon Oxide, Silicon Nitride and BPSG by PECVD
- Deposition of High-k Dielectrics by ALD
Implantació iònica
Hi ha disponibles dos sistemes d’implantació d’ions de corrent mitjà per implantar diverses espècies: B, P, As, N, Ar, Al, Si, Mg, O, He.
Gravat sec
Hi ha disponibles diversos sistemes i processos de gravat en sec (basats en plasma):
- Reactive Ion Etching (RIE) systems for aluminum, polysilicon, silicon oxide and silicon nitride materials.
- Deep reactive Ion Etching (DRIE) systems for deep silicon and silicon dioxide etching.
- Photoresist ashing.
Inspecció i mesures
- Optical Microscopy
- Thin film thickness measurement by Spectral Reflectance
- Spectral Ellipsometry
- 3D optical Profilometry
- Mechanical Profilometry
- FT-IR Spectroscopy
- Sheet Resistance measurement
- Bow and Thickness measurement
- Life Time measurement
Metal·lització
Es poden dipositar pel·lícules primes metàl·liques de diversos materials mitjançant tècniques de deposició física de vapor en sistemes de sputtering de CC i CC/RF o bé en sistemes d'evaporació tèrmica o amb canó d'electrons.
Processat de Microsistemes
Hi ha disponibles diversos processos específics de microsistemes:
- Silicon anisotropic wet etching with alkaline solutions.
- Surface micromachining (sacrificial layer etching).
- Critical point drying for releasing micromachined structures.
- Lift-off etching processes.
Nanolitografia
Els processos següents estan disponibles per aconseguir una resolució inferior a 100 nm:
- Electron beam lithography (EBL)
- AFM based nanofabrication
- Nanoimprint lithography
- Focused Ion Beam (FIB)
- Scanning Electron Microscopy (SEM)
Gravat humit i processos de neteja
- Gravat humit isòtrop de metalls i dielèctrics.
- Neteja superficial de les oblies.
- Decapat de fotorresines en humit i en plasma d'oxigen.
Fotolitografia
Es disposa dels següent equipament per a la definició de motius per litografia òptica:
- Automatic coater/developer system
- Contact/proximity and double-side contact/proximity mask aligners
- i-line Stepper
- Mask-Less Laser Lithography (i-line)
- Automatic mask cleaner
Encapsulació
- Wafer dicing.
- Die bonding processes, including SMD and flip-chip die assembly.
- Wire bonding.
Caracterització elèctrica
- Device Characterization and parameter extraction.
- Parametric test of fabricated wafers.
- Test structure design and characterisation.
- Development of new measurement techniques.