Logo CSIC

Equips i processos de l'Àrea de Gravat Sec

L'Àrea de Gravat Sec és l'àrea on es duen a terme tècniques de gravat en plasma sobre diferents materials utilitzats en la microfabricació.

Tècniques

  • Gravat de metalls
  • Semiconductors
  • Polímers
  • Gravat profund del silici amb HAR
  • Gravat per nanoestructures de silici

Equipment and Available capabilities

Alcatel 601 E

  • Càrrega automàtica mono-oblia de fins a 100 mm
  • ICP Gen. fins a 2000 W - 13,56 MHz 
  • RF Gen. fins a 500 W - 300 KHz
  • Línies de gas: SF6, C4F8, He, O2
  • 2 bombes mecàniques i 2 bombes turbomoleculars
  • Escalfament d'oblies: des de -110°C fins a 40°C (N2 dewar); Contacte He-backside 
  • Procés Bosch
  • Gravat de capes: silici, polisilici, W and TaSi 

OXFORD PLASMALAB S-100 no CMOS

  • Càrrega automàtica multi-oblia de fins a 100 mm. Dues càmeres
  • ICP Gen. fins a 5000 W-2 MHz and ICP Gen. fins a 3000 W-13.56 MHz
  • RF Gen. fins a 600 W-13,56 MHz
  • Línies de gas: N2, O2, He, SF6, Cl2
    • Càmera 1: HBr, BCl3, Cl2, SF6, N2, He, Ar
    • Càmera 2: SF6, O2
  • 3 bombes mecàniques i 2 bombes turbomoleculars
  • Escalfament d'oblies: des de 20°C fins a 60°C; Contacte He-backside 
  • Gravat de capes: Components semiconductors del group III-V, SiC, diamant i decapat fotorresistent

Aplied Materials P5000

  • Plataforma industrial amb 3 càmeres per la càrrega d'oblies de fins a 150 mm
  • Camp magnètic assistit, fins a 90G – MERIE
  • 3 RF Gen. fins a 1250 W - 13,56 MHz
  • 3 bombes mecàniques i 3 bombes turbomoleculars
  • Línies de gas: 
    • Càmera A: CF4, C2F6, He, CHF3, Ar
    • Càmera B: C4F8, CF4, C2F6, O2, He, CHF3, Ar
    • Càmera C: HBr, Cl2, CF4, He/O2, SF6, N2
  • Gravat de capes: polisilici, SiO2, Si3N4 

Alcatel AMS-110 DE no CMOS

  • Càrrega automàtica mono-oblia de fins a 100 mm
  • ICP Gen. fins a 3000 W - 13,56 MHz 
  • RF Gen. fins a 600 W - 300 KHz
  • RF Gen. fins a 500 W LF
  • Línies de gas: SF6, C4F8, He, O2 CH4, Ar
  • 1 bomba mecànica i 1 bomba turbomolecular
  • Escalfament d'oblies: des de -10°C fins a 420°C; Contacte He-backside
  • Prpcés Bosch
  • Gravat de capes: silici, polisilici, W, TaSi, SiO2, Si3N4, Al2O3, HfO2, TiO2, GaO, pyrex, poliamida, grafè 

SENTECH SI 500 No CMOS

  • Càrrega automàtica mono-oblia MNC fins a 150 mm
  • ICP Gen. fins a 2000 W - 13,56 MHz 
  • RF Gen. fins a 600 W – 13,56 MHz
  • Línies de gas: SF6*, C4F8*, CF4, O2*, He, Ar. (*fluxos de massa duplicats)
  • 2 bombes mecàniques i 1 bomba turbomolecular
  • Temperatura: des de -15ºC fins a 80ºC. Escalfament He-backside
  • Procés Bosch
  • Gravat de capes: silici, SiO2, Si3N4, poliamida, grafè

SENTECH SI 500 SI

  • Càrrega automàtica mono-oblia MNC fins a 150 mm
  • ICP Gen. fins a 2000 W - 13,56 MHz 
  • RF Gen. fins a 600 W – 13,56 MHz
  • Línies de gas: SF6*, C4F8*, O2*, He, Ar. (*fluxos de massa duplicats)
  • 2 bombes mecàniques i 1 bomba turbomolecular
  • Temperatura: des de -15ºC fins a 80ºC. Escalfament He-backside
  • Procés Bosch
  • Gravat de capes: silici, SiC

SENTECH SI 500 CL

  • Càrrega automàtica mono-oblia MNC fins a 150 mm
  • ICP Gen. fins a 2000 W - 13,56 MHz 
  • RF Gen. fins a 600 W – 13,56 MHz
  • Línies de gas: Cl2, BCl3, Ar, N2, O2, He
  • 2 bombes mecàniques i 1 bomba turbomolecular
  • Temperatura: des de -15ºC fins a 80ºC. Escalfament He-backside
  • Detecció òptica del punt final
  • Gravat de capes: compostos semiconductors del grup III-V

ALCATEL GIR 160

  • Placa paral·lela RIE de càrrega manual per sistema mono-oblia fins a 150 mm
  • RF Gen. fins a 500 W – 13,56 MHz
  • Línies de gas: SF6, CHF3, CF4, O2, He, N2
  • 1 bomba mecànica i 1 bomba turbomolecular
  • Sense control de temperatura
  • Gravat de capes: silici, polisilici, SiO2, Si3N4, SiC, TaSi

Descarrega les tècniques i capacitats de l'Àrea de Gravat Sec

Clean Room Dry Etching

Mira l'Àrea de Gravat Sec

Equip de Gravat Sec

  • Roser Mas (ext. 435570) 
  • Carles Mateu (ext. 435569) 
  • Samuel Dacunha (ext. 435571)​
Foto de grupo de Grabado Seco