Vés al contingut

Oferta tecnològica i capacitats

La sala blanca de l'IMB-CNM inclou equips per a processos de micro i nanofabricació basats principalment en tecnologies de silici per a oblies de 100 mm i 150 mm, però també poden funcionar amb substrats de diferents materials i mides segons la demanda. La seva estructura permet un funcionament flexible, cosa que el fa especialment adequat per a R+D.

Processos tèrmics

Hi ha disponibles els següents processos tèrmics i de dipòsit químic en vapor:

  • Thermal Oxidation, Annealing and Diffusion processes
  • Deposition of Silicon Oxide, Silicon Nitride, Polycrystalline and Amorphous Silicon by LPCVD
  • Deposition of Silicon Oxide, Silicon Nitride and BPSG by PECVD
  • Deposition of High-k Dielectrics by ALD

Implantació iònica

Hi ha disponibles dos sistemes d’implantació d’ions de corrent mitjà per implantar diverses espècies: B, P, As, N, Ar, Al, Si, Mg, O, He. 

Gravat sec

Hi ha disponibles diversos sistemes i processos de gravat en sec (basats en plasma):

  • Reactive Ion Etching (RIE) systems for aluminum, polysilicon, silicon oxide and silicon nitride materials.
  • Deep reactive Ion Etching (DRIE) systems for deep silicon and silicon dioxide etching.
  • Photoresist ashing.

Inspecció i mesures

  • Optical Microscopy
  • Thin film thickness measurement by Spectral Reflectance
  • Spectral Ellipsometry
  • 3D optical Profilometry
  • Mechanical Profilometry
  • FT-IR Spectroscopy
  • Sheet Resistance measurement
  • Bow and Thickness measurement
  • Life Time measurement

Metal·lització

Es poden dipositar pel·lícules primes metàl·liques de diversos materials mitjançant tècniques de deposició física de vapor en sistemes de sputtering de CC i CC/RF o bé en sistemes d'evaporació tèrmica o amb canó d'electrons.

Processat de Microsistemes

Hi ha disponibles diversos processos específics de microsistemes:

  • Silicon anisotropic wet etching with alkaline solutions.
  • Surface micromachining (sacrificial layer etching).
  • Critical point drying for releasing micromachined structures.
  • Lift-off etching processes.

Nanolitografia

Els processos següents estan disponibles per aconseguir una resolució inferior a 100 nm:

  • Electron beam lithography (EBL)
  • AFM based nanofabrication
  • Nanoimprint lithography
  • Focused Ion Beam (FIB)
  • Scanning Electron Microscopy (SEM)

Gravats humits i processos de neteja de superfícies

  • Gravat humit isòtrop de metalls i dielèctrics.
  • Neteja superficial de les oblies.
  • Decapat de fotorresines en humit i en plasma d'oxigen.

Fotolitografia

Es disposa dels següent equipament per a la definició de motius per litografia òptica:

  • Automatic coater/developer system
  • Contact/proximity and double-side contact/proximity mask aligners
  • i-line Stepper
  • Mask-Less Laser Lithography (i-line)
  • Automatic mask cleaner

Encapsulat

  • Wafer dicing.
  • Die bonding processes, including SMD and flip-chip die assembly.
  • Wire bonding.

Caracterització elèctrica

  • Device Characterization and parameter extraction.
  • Parametric test of fabricated wafers.
  • Test structure design and characterisation.
  • Development of new measurement techniques.