Equips i processos de l'Àrea d'Implantació Iònica
L'Àrea d'Implantació Iònica és la zona en la qual es realitza la tècnica de dopatge superficial de l'oblia. En funció de l'equip utilitzat es poden implantar les següents espècies atòmiques: B, P, As, N, Ar, Al, Si, Mg, O, He.
Tècniques
- Control precís del perfil de profunditat de dopatge.
- Procés a baixa temperatura compatible amb la màscara fotorresistent.
- Àmplia selecció de materials per a màscares: fotorresistent, òxid, poli-Si, metall...
- Uniformitat de dopatge lateral.
Equips
Implantador d'ions IBS IMC 210RD
- Fonts líquides, gasoses i sòlides.
- Precursors disponibles: BF3, SiF4, N2, Ar, CO₂, He/Ar, As, P, Mg, AlCl3, GeS2 i H₂O.
- Dosis implantades de 1,0×1011 at/cm² a 5,0×1015 at/cm².
- Rang d'energia: de 3 keV a 210 keV (càrrega única).
- Equipat amb dues cambres de processament: cambra estàndard (ES) i cambra de recerca i desenvolupament (RD).
- Cambra ES: Sistema de càrrega automatitzat.
- Cambra RD: Sistema de càrrega manual. Possibilitat de processar oblies fines (gruix<400 µm) i peces petites. El suport permet escalfar oblies fins a 500 °C.
- Rang d'inclinació: De 0° a 15° i de 0° a 10° en la cambra ES i la cambra RD, respectivament.
- Mida màxima d'oblia: Oblies de 4 polzades i oblies de 6 polzades per a la cambra ES i RD, respectivament.
- Temperatura: Possibilitat d'escalfar l'oblia fins a 500 °C.
- Exclusivament per a processar mostres CMOS.
Descarrega les tècniques i capacitats de l'Àrea d'Implantació Iònica
Personal d'Implantació Iònica
- Alberto García (ext. 435556)
- Aniol Vellvehí (ext. 435551)
