International experts gather at IMB-CNM for the 2nd DRD7.6b Annual Collaboration Meeting
Researchers from CERN, universities and research centers across Europe met to discuss progress in advanced semiconductor integration technologies for future particle physics detectors
Expertos internacionales se reúnen en el IMB-CNM con motivo de la II Reunión Anual de Colaboración del DRD7.6b
Un equipo científico procedente del CERN, de universidades y de centros de investigación de toda Europa se reúne para debatir los avances en las tecnologías avanzadas de integración de semiconductores para los futuros detectores de física de partículas
El director de l'IMB-CNM compareix al Parlament per parlar de sobirania tecnològica
Luis Fonseca parla davant la Comissió de Recerca i Universitats del Parlament de Catalunya per exposar les línies estratègiques de l'IMB-CNM
The director of the IMB-CNM appears before Parliament to discuss technological sovereignty
Luis Fonseca addresses the Catalan Parliament's Committee on Research and Universities to present the strategic priorities of the IMB-CNM
El director del IMB-CNM comparece en el Parlamento para tratar la soberanía tecnológica
Luis Fonseca habla ante la Comisión de Investigación y Universidades del Parlamento de Cataluña para exponer las líneas estratégicas del IMB-CNM
IMB-CNM Thesis Defense: Smart materials and resonant microelectromechanical systems for bioelectronic microdevices and electroceuticals
https://www.imb-cnm.csic.es/en/outreach/events/imb-cnm-thesis-defense-smart-materials-and-resonant-microelectromechanical-systemsPIXSPain Information Session on the EIC Accelerator 2027 Work Programme: How Can the Chips Fund Facilitate Access to Funding to Drive the Growth of Your Semiconductor Company?
https://www.imb-cnm.csic.es/en/outreach/events/pixspain-information-session-eic-accelerator-2027-work-programme-how-can-chips-fundThe IMB-CNM, present at the YoMo a festival to promote technologies among young people
The Institute of Microelectronics of Barcelona (IMB-CNM-CSIC) will participate in the next edition of the "Youth Mobile Festival Barcelona" (YoMo), from February 27 to March 2, offering young people the opportunity to enter in a white room to make the chips that are on the mobile phones
Dispositius per apliacions de potència i ambients amb alta radiació
Científics a l'Institut de Microelectrònica de Barcelona - Centre Nacional de Microelectrònica, han desenvolupat uns transistors JFET que poden ser utilitzats en aplicacions o entorns amb una alta radiació, en els quals els JFET estàndard fallen causa de l'excés de radiació.
Switch device for high power and radioactive environments
Scientists at the Institute of Microelectronics of Barcelona (IMB-CNM) have developed a novel JFET (Junction Field-Effect Transistor) which is very suitable for high-power devices and radioactive environments, where conventional JFET fail.