Nova perspectiva per a la comprensió de la resposta en freqüència dels dispositius memristius
Nou article publicat a la revista IEEE Electron Device Letters per part dels membres ATDF del grup MESSI en col·laboració amb el grup NANOCOMP de la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB).
El col·lapse de la finestra de memòria en dispositius TiN/Ti/HfO2/W a altes freqüències i amplituds petites de senyal, s’ha demostrat a partir d’un extens conjunt de resultats experimentals juntament amb l’anàlisi de les seves característiques mitjançant un potent model fenomenològic. La reducció de la finestra de resistència a mesura que la freqüència del senyal augmenta s’atribueix a la incapacitat d’ions/vacants de seguir l’estímul elèctric extern.
Aquests són resultats obtinguts per la col·laboració entre els membres de Capes Primes de Dielèctrics Avançats del grup MESSI i els investigadors del grup NANOCOMP de la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), i que acaben de sortir publicats a la revista IEEE Electron Device Letters. El treball ofereix una connexió clara entre l’efecte de la commutació resistiva en dispositius reals i la teoria original dels memristors.
"Aquesta nova comprensió de la resposta dels memristors depenent de la freqüència del senyal aplicat, dóna una informació d’utilitat per al disseny de circuits i l’enginyeria de noves aplicacions dels memristors," explica Mireia Bargalló González, una de les autores del treball i membre del grup MESSI.
Els memsistors són dispositius emergents per a una gran varietat d’aplicacions
Els dispositius de commutació resistiva, també anomenats memristors, són estructures metall-aïllant-metall (MIM) que presenten una característica corrent-tensió amb histèresi pinçada. Aquests dispositius emergents estan sent explorats per a una varietat d’aplicacions potencials que inclou l’emmagatzematge no volàtil de dades, circuits lògics digitals i per oferir seguretat en hardware.
A més a més, en els darrers anys, hi ha una intensa activitat de recerca per tal d’avaluar la potencialitat dels memristors com a sinapsis artificials en sistemes inspirats en el cervell (sistemes neuromòrfics) que pretenen replicar funcions cerebrals com són l’aprenentatge de l’experiència, el raonament o la presa de decisions.
M. Maestro-Izquierdo, M. B. Gonzalez, F. Campabadal , J. Suñé , Fellow IEEE, and E. Miranda, Senior Member IEEE. A New Perspective Towards the Understanding of the Frequency-Dependent Behavior of Memristive Devices. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Vol. 42, No. 4, April 2021 565. DOI: 10.1109/LED.2021.3063239