L'IMB-CNM participa en la creació d'el nou subdetector de l'ATLAS, al CERN
Al mateix cor d'ATLAS s'insereix el nou subdetector, amb sensors més petits i amb alta resistència a la radioactivitat. Part dels sensors s'han desenvolupat i fabricat a la Sala Blanca de l'CNM-CSIC, a Barcelona.
Recentment es va incorporar un nou subdetector a l'enorme aparell de l'experiment ATLAS, situat al CERN (Ginebra), llar del major accelerador de partícules del món. En el desenvolupament d'aquest subdetector han participat investigadors de l'lnstitut de Microelectrònica de Barcelona (IMB-CNM) del Consell Superior d'Investigacions Científiques (CSIC).
ATLAS (A Toroidal LHC Apparatus, Aparell Toroidal) és un dels cinc detectors de partícules del Large Hadron Collider, LHC. L'ATLAS és un detector multipropósit, dissenyat per investigar en múltiples camps de la física, des de la detecció del boson de Higgs fins a les partícules que podrien formar part de la matèria fosca.
La nova peça que s'ha inserit en ATLAS és el subdetector IBL (Inserible b-layer). Es tracta d'una capa addicional de dispositius de silici que s'ha unit al pre-existent detector Pixel, instal·lat al centre d'ATLAS, a la zona més propera a punt de xoc entre les partícules.
El detector Píxel es compon de quatre barrils cilíndrics, inserits un en l'altre, i està fet de petits díodes de silici que són capaços de detectar les partícules que passen a través d'ells, així que poden ser utilitzats com a excel·lents traçadors. Aquests dispositius estan muntats sobre una reixeta i connectats a circuits integrats que llegeixen el senyal generat en el detector.
Per al subdetector IBL s'han fabricat sensors més petits i més resistents a les radiacions que els anteriors, de manera que s'han pogut instal·lar al cor del detector Píxel, una zona altament radioactiva. S'espera que aquesta capa addicional millori el rendiment de traçat de l'experiment ATLAS, així com la seva capacitat d'etiquetar famílies concretes de productes de col·lisió.
L'IMB-CNM-CSIC ha fabricat part dels sensors 3D de silici de l'IBL, mitjançant l'aplicació de tecnologies de semiconductors d'última generació desenvolupades en la seva avançada Sala Blanca. Físics i enginyers de l'IMB-CNM van participar també en les fases de test i posada en marxa de el nou equip experimental. El treball s'ha desenvolupat en el marc del projecte nacional FPA2010-22060-C02 i en col·laboració amb l'Institut de Física d'Altes Energies (IFAE-Barcelona).