Dispositius per apliacions de potència i ambients amb alta radiació

Els dispositius JFET (de l'anglès Junction Field-Effect Transistor) s'utilitzen àmpliament com interruptors o com elements de protecció passiva. No obstant això, no es poden aplicar en aplicacions o entorns en els quals hi ha una alta radiació, perquè els materials que es requereixen en la seva fabricació fallen quan són exposats a una radiació alta. A més, l'ús de substrats n-dopats en dispositius electrònics per millorar les propietats elèctriques augmenta la seva vulnerabilitat a la radiació.

Per aquest motiu una línia d'investigació molt activa en electrònica de potència és la recerca de dispositius apropiats per a circuits de distribució d'energia i sistemes de control que siguin capaços d'operar en entorns d'alta radiació.

A l'Institut de Microelectrònica de Barcelona - Centre Nacional de Microelectrònica, han desenvolupat un nou transistor JFET que pot ser utilitzat en aquests entorns amb alta radiació.

Les seves principals aplicacions són la distribució de potència per a reactors nuclears o aplicacions espacials. Poden usar-se, però, en altres camps, com aviació, acceleradors de partícules o equips mèdics de radiodiagnòstic o similars. Poden aplicar-se també com a interruptors en aplicacions d'alta potència. Els seus principals avantatges són una alta robustesa enfront de radiació ionitzant i no-ionitzant, un disseny millorat que permet majors densitats de corrent, voltatge de ruptura molt alt (superior a 800 V), la possibilitat de dissenyar-lo i adaptar-lo específicament per a cada aplicació, entre d'altres.

Es busquen socis industrials de la indústria electrònica centrats en la detecció de radiació o distribució d'energia en entorns de radiació per col·laborar a través d'un acord de llicència de patent.