DiamMOS: MOSFET de diamante para electronica de potencia mediante el crecimiento MPCVD lateral/selectivo: Diseño y tecnología
Imatge
Imatge
Funding agency
Agencia Estatal de Investigación (AEI) y el Fondo Europeo de Desarrollo Regional (FEDER UE)
Reference
TEC2017-86347-C2-2-R
Period
-
P.I. at IMB-CNM
Godignon, Philippe