"Pepe" Millán: el llegat d’un dels pioners de la microelectrònica de potència a Europa

El passat mes de maig es van complir deu anys de la mort de José Millán, professor d’investigació del CSIC i una de les figures històriques de la microelectrònica a l'Institut de Microelectrònica de Barcelona (IMB-CNM). Conegut dins i fora del centre com a "Pepe Millán", la seva trajectòria científica va ser determinant per posicionar l’IMB-CNM com un centre de referència europeu en el camp dels dispositius microelectrònics de potència basats en silici i en semiconductors de banda prohibida ampla (Wide Band-Gap, WBG) com el carbur de silici (SiC) i el nitrur de gal·li (GaN).

La seva empremta al centre continua avui molt present. En reconeixement a la seva trajectòria científica i humana, la Sala d'Actes de l'IMB-CNM porta el seu nom, "Sala d'Actes Pepe Millán", un espai emblemàtic del centre que recorda el seu llegat i la seva contribució al desenvolupament de l'institut des dels seus orígens i a la microelectrònica a nivell nacional. A més, Millán va liderar un grup de recerca de l'institut i va ocupar el càrrec de vicedirector del centre en dues ocasions, primer entre 1999 i 2003; i després entre 2006 i 2008.

Una trajectòria vinculada a la potència

José Millán, nascut el 1948 (Terrer, Zaragoza), va estudiar Física a la Universitat de Navarra i va realitzar la seva tesi doctoral al Departament de Física de la Universitat Autònoma de Barcelona sobre estructures MIS (Metall Aïllant Semiconductor), sota la direcció del professor Francesc Serra Mestres, el qual seria també un dels "fundadors" del Centre Nacional de Microelectrònica i el seu segon Director. Entre 1980 i 1987 va exercir també com a professor adjunt a la UAB.

Des de l'inici de la seva carrera investigadora al CNM (actual IMB-CNM) després de la seva fundació, el 1985, José Millán va crear i liderar un grup dedicat a la recerca sobre dispositius de potència basats en silici, principalment desenvolupant transistors amb control per porta aïllada com VDMOS i IGBTs. Anomenat Grup de Dispositius i Sistemes de Potència, va ser pioner a Espanya i encara avui continua integrat a l’institut.

Més endavant, va liderar alguns dels treballs pioners sobre semiconductors WBG, especialment el carbur de silici (SiC) i el nitrur de gal·li (GaN), tecnologies que avui són clau per a l’electrificació i el desenvolupament de sistemes industrials energèticament més eficients. La seva visió científica va contribuir decisivament a posicionar l'IMB-CNM com un dels centres de referència europeus en aquest àmbit.

La seva activitat investigadora es va caracteritzar per combinar recerca fonamental i transferència industrial en àrees com els dispositius d’alta tensió, l’electrònica per a automoció, els convertidors de potència i els sistemes electrònics eficients. Al llarg de la seva carrera va publicar prop de 300 treballs científics i va participar en nombrosos projectes europeus i iniciatives estratègiques vinculades a l’electrònica de potència.

En aquest sentit, va tenir un paper rellevant en l’impuls inicial de l'European Center for Power Electronics (ECPE), plataforma europea que connecta centres de recerca i indústria en l’àmbit de l’electrònica de potència i que ha esdevingut una de les principals plataformes europees del sector. La seva aposta per la col·laboració entre recerca i indústria va contribuir a reforçar la projecció internacional de l’IMB-CNM i a establir noves aliances europees en tecnologies emergents.

Entre altres iniciatives estratègiques, José Millán també va coordinar el projecte Consolider RUE, amb un pressupost de 3.5 M€ i la participació de vuit universitats i centres de recerca espanyols, orientat al desenvolupament de noves tecnologies d’electrònica de potència eficient. Igualment, va actuar com a avaluador extern del CEA-LETI francès, un dels centres europeus de referència en microelectrònica i transferència tecnològica. Cal destacar també que l’any 2009 va ser General Chair de l’ISPSD (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs), el congrés de referència mundial en l’àmbit dels dispositius semiconductors de potència (veure imatges avall).

Empremta humana i acadèmica

Més enllà de la seva contribució científica, en Pepe Millán va deixar una profunda empremta humana i acadèmica a l'IMB-CNM. Diverses generacions d'investigadors i investigadores del centre van iniciar o consolidar la seva trajectòria sota la seva influència científica i personal. El seu llegat continua avui plenament vigent tant per l’impacte de les seves publicacions com per la continuïtat de les línies de recerca que va impulsar.

Durant la seva trajectòria va dirigir 9 tesis doctorals. Molts dels seus doctorands van acabar convertint-se en investigadors consolidats, professors universitaris o responsables d'R+D en empreses del sector, i que posteriorment, van dirigir noves tesis doctorals, generant una escola científica amb continuïtat intergeneracional i amb ramificacions en múltiples institucions acadèmiques i centres tecnològics tant nacionals com internacionals.

La llista World's Top 2% Scientists

Com a mostra d’aquest impacte durador, José Millán continua apareixent a l’edició 2025 del rànquing internacional World’s Top 2% Scientists, elaborat per la Universitat de Stanford i Elsevier, que identifica els científics més influents del món segons l'impacte de les seves publicacions científiques. En aquesta edició ocupa la posició 2.388 dins del subcamp de Física Aplicada.

La presència de l'IMB-CNM en aquest rànquing es veu reforçada enguany amb la incorporació d'Amador Pérez-Tomás, investigador del mateix grup de Dispositius i Sistemes de Potència (PDS), que entra també a la classificació situant-se en la posició 2.554 del mateix subcamp.

Aquest reconeixement posa de manifest la continuïtat, l’excel·lència i la vigència del llegat científic i tecnològic impulsat per Pepe Millán en el camp de l’electrònica de potència i dels dispositius semiconductors avançats.