Oriol Aviñó Salvadó fa la microxerrada en diferit: Mètodes no-invasius per la caracterització termo-elèctrica de dispositus semiconductors
Des de la invenció del transistor, del que aquest any celebrem el seu 75è aniversari, el procés d’integració d’aquest s’ha incrementat seguint la coneguda com a Llei de Moore, doblant la seva densitat en un circuit imprès cada dos anys. Avui en dia, gràcies a la descoberta de nous materials semiconductors, s’estan electrificant sectors que fins fa poc semblaven impensables, com el de la mobilitat. El cas que ens és més proper és el vehicle elèctric, el qual per poder ser electrificat requereix d’una gestió d’una gran quantitat d’energia per part dels components electrònics, fet que compromet la seva fiabilitat a causa, entre d’altres, de les altes temperatures a que són sotmesos. És en aquest sentit, que es requereix una millora contínua en el seu disseny, que tan sols és possible amb el coneixement del que succeeix dintre el semiconductor per en els diferents casos d’operació als que es veu sotmès. En aquesta presentació, s’explicaran mètodes de caracterització termo-elèctrica no invasius, els quals permeten conèixer la temperatura i els portadors en l’eix z del xip, i no tan sols en superfície. Aquests mètodes, en ser de mesura indirecta i no-invasius, permeten que la mesura no influeixi en el comportament del semiconductor.