DiamMOS: MOSFET de diamante para electronica de potencia mediante el crecimiento MPCVD lateral/selectivo: Diseño y tecnología

Imatge

Funding agency

Agencia Estatal de Investigación (AEI) y el Fondo Europeo de Desarrollo Regional (FEDER UE)

Reference

TEC2017-86347-C2-2-R

Period

Mon, 01/01/2018 - 12:00 - Thu, 09/30/2021 - 12:00

P.I. at IMB-CNM

Godignon, Philippe