• 9 hornos tubulares para oxidación, recocido y difusión
• 2 hornos LPCVD para depósito de polisilicio y nitruro de silicio
• 2 sistemas PECVD para deposición de capas de pasivación (óxido y nitruro)
• 1 sistema multicámara PECVD para depósito de óxido, nitruro y BPSG
• 1 sistema de ALD térmico para depósito de dieléctricos de alta K
• 2 sistemas RTP de alta T con LP para tecnología de SiC
• 1 reactor RTCVD

(en trámite de autorización)

• 1 implantador de media corriente para B, P, As, N y Ar
• 1 implantador de media corriente para Ar, B, P, As, N, Al, Si, Mg, O, He (en instalación)

• 1 equipo de pulverización catódica DC magnetron, carga manual, 1 cátodo
• 1 equipo de pulverización catódica DC/RF, carga automática, 4 cátodos independientes
• 3 equipo de pulverización catódica con 3 cátodos independientes, carga automática
• 1 equipo de pulverización catódica con 3 cátodos independientes, carga manual
• 1 equipo de pulverización catódica con 1 cátodo DC, carga manual
• 1 Evaporador térmico y por haz de electrones
• 1 Evaporador por haz de electrones

• 1 Stepper 5:1 resolución 0.65 µm (línea g) (CMOS*)
• 1 Stepper 5:1 resolución 0.35 μm (línea i) (CMOS) (operativo Mayo 2009)
• Alineadora de máscaras por contacto/proximidad (CMOS)
• Alineadora de máscaras de doble cara por contacto/ proximidad (CMOS)
• Alineadora de máscaras de doble cara por contacto (MNC*)
• Alineadora de máscaras de doble cara por contacto/proximidad (MNC)
• Sistema automático de depósito y revelado de fotoresina (Gamma) (CMOS)
• Laser para litografía sin máscara (línea i) (MNC) (operativo Marzo 2009)
• Limpiador de máscaras 5" x 5"
• Spinners manuales para depósito de fotoresina (CMOS / MNC)
• Spinner manual para revelado de fotoresina (MNC)

• RIE Alcatel GIR160 manual monocámara para grabados de óxido, nitruro, Si y poli-Si (CMOS*)
• RIE automático multicámara (cluster) Drytek QUAD 484 para grabados de óxido, nitruro, poli-Si, Al y decapados de resina (CMOS)
• MERIE automático multicámara (cluster) Applied Materials P5000 Mark II para grabados de poli-Si y oxinitruros con o sin presencia de Al (CMOS) (150 mm**)
• DRIE automático monocámara Alcatel 601E para grabados de óxidos, poli-Si, SiC y Si profundo (CMOS)
• DRIE automático monocámara Alcatel AMS-110DE para grabados de óxidos, pyrex y Si profundo (MNC)
• DRIE CMOS automático multicámara Oxford Plasmalab S-100 para grabados de Al y decapados de resina (CMOS)
• PR Asher Tepla 300E para decapados de resina
• PR Asher PVA Tepla 300SA para decapados de resina (150mm)

• 10 bancos húmedos semiautomáticos
• 4 spinners para aclarado/secado de obleas
• 1 banco para grabado anisótropo

• 2 microscopios de inspección
• 1 sistema de medida de resistencia superficial
• 1 perfilómetro
• 3 interferómetros ópticos para la medida de espesores de capas
• 1 elipsómetro
• 1 espectrómetro FT-IR
• 1 sistema de medida de tiempo de vida de portadores
• Sistema de medida de dimensiones críticas